Back GeSbTe English Germanio-antimonio-telurio Spanish GeSbTe Italian GeSbTe Japanese GeSbTe Swedish

GeSbTe

Infotaula de compost químicGeSbTe
Substància químicaaliatge Modifica el valor a Wikidata

GeSbTe (germani-antimoni-tel·li o GST) és un material de canvi de fase del grup de vidres de calcogenur, destacat per la seva aplicació en discs òptics reescrivibles i aplicacions de memòria de canvi de fase. Aquest material presenta una capacitat notable per canviar ràpidament d'estat —coneguda com temps de recristal·lització— que s'estableix en 20 nanosegons, la qual cosa permet escriure dades a velocitats de bits de fins a 35 Mbit/s i pot suportar fins a 106 cicles de sobreescritura. És adequat per a formats d'enregistrament land-groove. Sovint s'utilitza en DVD regravables. Són possibles noves memòries de canvi de fase mitjançant semiconductors GeSbTe dopats n. El punt de fusió de l'aliatge és d'uns 600 °C (900 K) i la temperatura de cristal·lització està entre 100 i 150 °C.

Durant l'escriptura, el material s'esborra, s'inicia en el seu estat cristal·lí, amb una irradiació làser de baixa intensitat. El material s'escalfa fins a la seva temperatura de cristal·lització, però no el seu punt de fusió, i cristal·litza. La informació s'escriu en la fase cristal·lina, escalfant-ne punts amb polsos làser curts (<10 ns) d'alta intensitat; el material es fon localment i es refreda ràpidament, quedant-se en la fase amorfa. Com que la fase amorfa té menor reflectivitat que la fase cristal·lina, les dades es poden registrar com a taques fosques al fons cristal·lí. Recentment, s'han desenvolupat i utilitzats nous precursors líquids d'organogermani, com ara l'isobutilgerman [1][2][3] (IBGe) i el tetrakis (dimetilamino)german[4][5] (TDMAGe) juntament amb els metalls orgànics de l'antimoni i el tel·luri., com ara el tris-dimetilamino antimoni (TDMASb) i el telurur de di-isopropil (DIPTe) respectivament, per fer créixer GeSbTe i altres pel·lícules de calcogenur de molt alta puresa per deposició de vapor químic metal-orgànic (MOCVD). El triclorur de dimetilaminogermani [6] (DMAGeC) també s'informa com el precursor superior de dimetilaminogermani que conté clorur per a la deposició de Ge per MOCVD.

Diagrama de fases del sistema d'aliatge ternari GeSbTe
  1. ↑ Deo V. Shenai, Ronald L. DiCarlo, Michael B. Power, Artashes Amamchyan, Randall J. Goyette, Egbert Woelk; Dicarlo; Power; Amamchyan; Goyette Journal of Crystal Growth, 298, 2007, pàg. 172–175. Bibcode: 2007JCrGr.298..172S. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2006.10.194.
  2. ↑ Bosi, M.; Attolini, G.; Ferrari, C.; Frigeri, C.; Rimada Herrera, J.C. Journal of Crystal Growth, 310, 14, 2008, pàg. 3282. Bibcode: 2008JCrGr.310.3282B. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.04.009.
  3. ↑ Attolini, G.; Bosi, M.; Musayeva, N.; Pelosi, C.; Ferrari, C. Thin Solid Films, 517, 1, 2008, pàg. 404–406. Bibcode: 2008TSF...517..404A. DOI: 10.1016/j.tsf.2008.08.137.
  4. ↑ M. Longo, O. Salicio, C. Wiemer, R. Fallica, A. Molle, M. Fanciulli, C. Giesen, B. Seitzinger,P.K. Baumann, M. Heuken, S. Rushworth; Salicio; Wiemer; Fallica; Molle Journal of Crystal Growth, 310, 23, 2008, pàg. 5053–5057. Bibcode: 2008JCrGr.310.5053L. DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2008.07.054.
  5. ↑ A. Abrutis, V. Plausinaitiene, M. Skapas, C. Wiemer, O. Salicio, A. Pirovano, E. Varesi, S. Rushworth, W. Gawelda, J. Siegel; Plausinaitiene; Skapas; Wiemer; Salicio Chemistry of Materials, 20, 11, 2008, pàg. 3557. DOI: 10.1021/cm8004584.
  6. ↑ X. Shi; M. Schaekers; F. Leys; R. Loo; M. Caymax ECS Transactions, 3, 2006, pàg. 849. DOI: 10.1149/1.2355880.
From Wikipedia, the free encyclopedia · View on Wikipedia

Developed by Nelliwinne