Back Resistive Random Access Memory German Resistive random-access memory English Memoria de acceso aleatorio resistiva Spanish RRAM Estonian Resistive random-access memory French RRAM Italian 抵抗変化型メモリ Japanese RRAM Korean RRAM Dutch ReRAM Portuguese

Resistive random-access memory

RAM resistiva (resistive random-access memory, RRAM o ReRAM) és una mena de memòria de computadora no volàtil (NV) d'accés aleatori (RAM) que funciona canviant la resistència elèctrica d'un material dielèctric d'estat sòlid que també s'anomena memristència. Aquesta tecnologia s'assembla a CBRAM (RAM de pont conductor) i PCM (memòria de canvi de fase).[1][2][3]

Fig.1 Corba d'un material amb dielèctric anomenat memristor
  1. ↑ «What is Resistive Memory (ReRAM, RRAM)? Webopedia Definition». www.webopedia.com. [Consulta: 16 gener 2017].
  2. ↑ Mearian, Lucas «New ReRAM chip consumes 50-100 times less power for IoT». Computerworld. Arxivat de l'original el 2017-01-18 [Consulta: 16 gener 2017].
  3. ↑ «What is resistive RAM (RRAM)? - Definition from WhatIs.com» (en anglès). SearchSolidStateStorage.
From Wikipedia, the free encyclopedia · View on Wikipedia

Developed by Nelliwinne