Isamu Akasaki

Isamu Akasaki
Personlig information
Født	30. januar 1929(1929-01-30) Chiran, Japan
Død	1. april 2021 (92 år) Nagoya, Japan
Dødsårsag	Lungebetændelse
Nationalitet	Japansk
Bopæl	Kagoshima-præfekturet
Søskende	Masanori Akasaki
Uddannelse og virke
Uddannelses­sted	Syvende Højere Skole, Kōnan Gymnasium, Universitetet i Nagoya, Kyotos universitet
Medlem af	The Institute of Electrical and Electronics Engineers
Beskæftigelse	Professor, forsker, fysiker, ingeniør
Fagområde	Fysiker
Arbejdsgiver	Universitetet i Nagoya, Panasonic Corporation, Denso Ten, Universitetet i Meijo
Nomineringer og priser
Udmærkelser	Charles Stark Draperpris (2015), IEEE Fellow, Medalje med lilla bånd (1996), IEEE Jack A. Morton Award[1] (1998), doctorat honoris causa de l'université Montpellier-II (1999) med flere
Nobelpris	Fysik 2014
Information med symbolet hentes fra Wikidata. Kildehenvisninger foreligger sammesteds.  [ redigér på Wikidata ]

Isamu Akasaki (赤崎 勇, Akasaki Isamu, født 30. januar 1929, død 1. april 2021) var en japansk ingeniør og fysiker, der var specialiseret i halvledereteknologi. Han er bedst kendt for at opfinde den kraftige galliumnitrid (GaN) pn-overgang blå LED i 1989 og den efterfølgende forbedrede udgave.^{[2][3][4][5][6]}

Han modtog Kyoto Prize i Advanced Technology i 2009 for denne opfindelse,^[7] og IEEE Edison Medal i 2011.^[8] Han modtog nobelprisen i fysik sammen med Hiroshi Amano og Shuji Nakamura i 2014,^[9] "for opfindelsen af effektive blå lysdioder, som har gjort det muligt at fremstille lysstærke og energibesparende hvide lyskilder."

1. ^ Navnet er anført på svensk og stammer fra Wikidata hvor navnet endnu ikke findes på dansk.
2. ^ "Japanese Journal of Applied Physics". Jsap.jp. Arkiveret fra originalen 22. juli 2012. Hentet 2015-11-10.
3. ^ "Japanese Journal of Applied Physics". jsap.jp. Arkiveret fra originalen 18. april 2012. Hentet 2015-11-10.
4. ^ Amano, Hiroshi; Kito, Masahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu (1989-12-20). "P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)". Japanese Journal of Applied Physics. Japan Society of Applied Physics. 28 (Part 2, No. 12): L2112-L2114. Bibcode:1989JaJAP..28L2112A. doi:10.1143/jjap.28.l2112. ISSN 0021-4922.
5. ^ Isamu Akasaki; Hiroshi Amano; Masahiro Kito; Kazumasa Hiramatsu (1991). "Photoluminescence of Mg-doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED". Journal of Luminescence. Elsevier BV. 48-49: 666-670. Bibcode:1991JLum...48..666A. doi:10.1016/0022-2313(91)90215-h. ISSN 0022-2313.
6. ^ Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Kenji Itoh, Norikatsu Koide and Katsuhide Manabe: "GaN-based UV/blue light emitting devices", Inst. Phys. Conf. Ser. No.129, pp. 851-856, 1992
7. ^ "INAMORI FOUNDATION". Inamori-f.or.jp. Arkiveret fra originalen 4. marts 2016. Hentet november 10, 2015.
8. ^ "IEEE Jack S. Kilby Signal Processing Medal Recipients" (PDF). IEEE. Hentet 15. april 2012.
9. ^ "The 2014 Nobel Prize in Physics - Press Release". Nobelprize.org. Nobel Media AB 2014. Hentet 7. oktober 2014.