Back ترانزستور ثنائي القطب ذو البوابة المعزولة Arabic IGBT транзистор Bulgarian ইনসুলেটেড-গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর Bengali/Bangla Transistor bipolar de porta aïllada Catalan IGBT Czech Insulated-gate bipolar transistor Danish Insulated-gate bipolar transistor English Transistor IGBT Spanish Isoleeritud paisuga bipolaartransistor Estonian آیجیبیتی Persian
Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (englisch insulated-gate bipolar transistor, kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt.
Es gibt vier verschiedene Grundtypen von IGBTs, welche durch vier verschiedene Schaltsymbole dargestellt werden. Je nach Dotierung des Grundmaterials lassen sich n- und p-Kanal-IGBTs herstellen. Diese unterteilen sich jeweils in einen selbstleitenden und einen selbstsperrenden Typ. Diese Eigenschaft ist im Rahmen des Herstellungsprozesses wählbar. In den Schaltsymbolen ist bei selbstleitenden IGBTs, auch als Verarmungs-Typ bezeichnet, eine durchgezogene Linie zwischen den Anschlüssen Kollektor (C) und Emitter (E) gezeichnet. Diese Linie ist bei den selbstsperrenden Typen, auch Anreicherungs-Typ bezeichnet, unterbrochen dargestellt. Der Gate-Anschluss (G) dient bei allen Typen als Steueranschluss.
Der IGBT wurde im Jahr 1990 von B. Jayant Baliga für General Electric zum Patent angemeldet.[1]
- ↑ Patent US4969028A: Gate enhanced rectifier. Angemeldet am 8. März 1990, veröffentlicht am 6. November 1990, Anmelder: General Electric, Erfinder: Bantval J. Baliga.