| Gruppe | 13 | 14 | 15 | |
|---|---|---|---|---|
| Periode | Schale | |||
| 2 | 5 B |
7 N |
L | |
| 3 | 13 Al |
15 P |
M | |
| 4 | 31 Ga |
33 As |
N | |
| 5 | 49 In |
O | ||
Bei einem III-V-Verbindungshalbleiter handelt es sich um eine Verbindung von Materialien der chemischen Hauptgruppe III (Erdmetalle/Borgruppe) und V (Stickstoff-Phosphor-Gruppe), deren Kombination die elektrische Leitfähigkeit von Halbleitern besitzt. III-V-Verbindungshalbleiter sind daher von großer Bedeutung für technische Anwendungen in der Halbleitertechnik.
Mit III-V-Verbindungshalbleitern lässt sich mit Laserdioden bzw. LEDs Licht mit sehr geringer Wellenlänge (UV-Bereich) erzeugen (Anwendungen: weiße Leuchtdiode, Blu-ray Disc, HD DVD. Siehe Shuji Nakamura). Umgekehrt eignet sich das Material auch zur Herstellung von Solarzellen mit sehr hohem Wirkungsgrad (über 40 %).[1]
- ↑ Weltrekord: 41,1 % Wirkungsgrad für Mehrfachsolarzellen am Fraunhofer ISE. In: Presseinformation 01/09. Fraunhofer ISE, 14. Januar 2009, archiviert vom (nicht mehr online verfügbar) am 13. August 2011; abgerufen am 22. Januar 2010.