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Der englische Begriff Silicon-on-Insulator (SOI, deutsch »Silizium auf einem Isolator«) bezeichnet einen speziellen Isolierschicht-Feldeffekttransistor, bei dem eine dünne Siliziumschicht (SOI) durch eine isolierende Schicht (meist buried-oxide, BOX, dt. »vergrabenes Oxid«, genannt) vom Silizium-Substrat getrennt ist. Dieser Aufbau ermöglicht kürzere Schaltzeiten und geringere Leistungsaufnahmen, besonders bezüglich der Leckströme. Außerdem ergibt sich eine verringerte Empfindlichkeit gegenüber ionisierender Strahlung.