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Die Tunneldiode, 1957 entdeckt vom japanischen Wissenschaftler Leo Esaki (deshalb auch Esaki-Diode genannt), ist ein Hochfrequenz-Halbleiterbauelement, das in bestimmten Spannungsbereichen einen negativ differentiellen Widerstand darstellt.[1][2] Das heißt, in diesem Bereich führt eine ansteigende Spannung zu einer absinkenden Stromstärke, anstatt – wie in allen gewöhnlichen Materialien – zu einer ansteigenden Stromstärke. Zum Beispiel kann damit ein angeschlossener Schwingkreis entdämpft werden (Oszillator). Sie gehört daher zu den aktiven dynamischen Bauelementen.
- ↑ L. Esaki, R. Tsu: Superlattice and Negative Differential Conductivity in Semiconductors. In: IBM Journal of Research and Development. Band 14, Nr. 1, Januar 1970, ISSN 0018-8646, S. 61–65, doi:10.1147/rd.141.0061 (englisch, ieee.org [abgerufen am 31. Januar 2023]).
- ↑ Leroy L. Chang, Leo Esaki: Semiconductor Quantum Heterostructures. In: Physics Today. Band 45, Nr. 10, Oktober 1992, ISSN 0031-9228, S. 36–43, doi:10.1063/1.881342 (englisch, scitation.org [abgerufen am 31. Januar 2023]).