Nitruro de galio | ||
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Nombre IUPAC | ||
Galio Nitruro | ||
General | ||
Fórmula semidesarrollada | GaN | |
Fórmula molecular | ? | |
Identificadores | ||
Número CAS | 25617-97-4[1] | |
Número RTECS | LW9640000 | |
ChemSpider | 105057 | |
PubChem | 117559 | |
Propiedades físicas | ||
Masa molar | 82,928648 g/mol | |
El nitruro de Galio (Galio Nitruro, GaN) es una aleación binaria de semiconductores del III/V con una banda prohibida directa que se ha venido usando en diodos emisores de luz (LED) desde los años noventa. Este compuesto químico es un material muy duro que tiene una estructura cristalina Wurtzita. Su amplia banda prohibida de 3.4 eV[2] le proporciona propiedades especiales para aplicaciones en optoelectrónica,[3][4] dispositivos de alta potencia y dispositivos de alta frecuencia.