Nitruro de galio-indio

El nitruro de galio-indio (InGaN, Indio_xGalio_1-xNitruro) es un material semiconductor hecho de una mezcla de nitruro de galio (GaN) y nitruro de Indio (InN). Pertenece al grupo de semiconductores III/ V. Su banda prohibida puede ser manipulada variando la cantidad de Indio en la aleación.^[1]​ En el InGaN, la relación para los materiales InGa es usualmente 0.02/0.98 y 0.3/0.7.^[2]​

1. ↑ M. Auf der Maur, K. Lorenz and A. Di Carlo. (2012). «"Band gap engineering approaches to increase InGaN/GaN LED efficiency"». Physica status solidi (c) 44 (3-5): 83-88. doi:10.1007/s11082-011-9536-x. 
2. ↑ Linti, G. The Group 13 Metals Aluminium, Gallium, Indium and Thallium. Chemical Patterns and Peculiarities. Edited by Simon Aldridge and AnthonyJ. Downs.Angew. Chem. doi:10.1002/anie.201105633.