Transistor de efecto campo

Transistor de efecto campo
Un transistor de efecto campo en una tarjeta de video.
Tipo	Semiconductor
Principio de funcionamiento	Efecto de campo
Invención	Julius Edgand(1951)
Símbolo electrónico
Canal N (izquierda) Canal P (derecha)
Terminales	Puerta (G), drenador (D) y fuente (S)
[editar datos en Wikidata]

El transistor de efecto campo (FET, del inglés field-effect transistor) es un transistor que usa el campo eléctrico para controlar la forma y, por lo tanto, la conductividad de un canal que transporta un solo tipo de portador de carga, por lo que también suele ser conocido como transistor unipolar. Es un semiconductor que posee tres terminales, denominados puerta (representado con la G), drenador (D) y fuente (S). La puerta es el terminal equivalente a la base del transistor de unión bipolar, de cuyo funcionamiento se diferencia, ya que en el FET, el voltaje aplicado entre la puerta y la fuente controla la corriente que circula en el drenaje. Se dividen en dos tipos los de canal N y los de canal P, dependiendo del tipo de material del cual se compone el canal del dispositivo.