Back ترانزستور حقلي وصلي Arabic JFET Catalan JFET Czech Sperrschicht-Feldeffekttransistor German JFET English JFET Spanish Pn-siirdega väljatransistor Estonian ترانزیستور پیوندی اثر میدان Persian JFET Finnish Junction Field Effect Transistor French
Loturazko eremu-efektu transistorea —ingelesez:Junction Field-Effect Transistor, JFET— hiru terminaleko gailu elektroniko bat da eta elektronikoki kontrolatutako etengailu, anplifikadore edo tentsioren bidez kontrolatutako erresistentzia gisa erabil daiteke. Hiru terminal horiei atea (G), drainatzailea (D) eta iturria (S) deritze. JFET transistoreak, transistore bipolarrak ez bezala, tentsiorekin kontrolatuta denez, ez du polarizazio-korrontearik behar. Karga elektrikoa drainatzaile eta iturriaren artean dagoen N edo P motako arteka semikonduktorearen bidez doa. Alderantzizko tentsio elektriko bat aplikatzean sarrerako terminalean, arteka estutu egiten da eta erresistentzia gehiago suposatzen dio korronteari.
JFET transistorea N motako edo P motako arteka bat eduki daiteke. N motakoetan, atean jarritako tentsio elektrikoa negatiboa bada iturriarekiko, korrontea gutxitu egingo da. Era berean, hori gertatzeko P motakoetan, sarreran aplikatutako tentsioa positiba izan behar da. JFET transistoreak sarrerako inpedantzia handia du, 1010 ohm ingurukoa. Beraz, efektu baztergarria dauka atean konektatutako beste zirkuito eta osagai elektronikoekin konparatuta.
