ALD-reaktori on kemiallinen reaktori, jossa valmistetaan atomikerroskasvatuksen eli ALD:n (engl. atomic layer deposition) avulla ohutkalvoja. Laite ja sen perustana oleva tekniikka on kehitetty Suomessa 1970-luvun loppupuolella Tuomo Suntolan johdolla.
ALD-reaktorissa lähtöaineet tuodaan substraatin pinnalle pulsseissa vuoroittain ja niiden annetaan reagoida. Jos pinta ja kerrostettava kemikaali ovat yhteensopivat, saadaan ohutkalvo kasvamaan atomikerroksen tarkkuudella. Vaihtamalla välillä kemikaalia, voidaan tehdä myös nanolaminaattisia kalvorakenteita. Yleensä lähtöaineina käytetään hyvin reaktiivisia kemikaaleja, kuten trimetyylialumiinia ja titaanitetrakloridia, jotka reagoivat voimakkaasti veden kanssa. ALD-prosessi tehdään tyypillisesti tyhjiössä pulssittamalla kaasumaisia lähtöaineita siten, että aina välillä reaktiokammio tyhjennetään toisesta lähtöaineesta, jota jää vain pintaan atomikerroksen verran. Myös nestemäisiä ja kiinteitä aineita saadaan kaasumaiseksi lämmön ja alhaisen paineen avulla. Periaatteessa ALD-prosessi on tehtävissä myös normaalissa paineessa tai nestemäisillä lähtöaineilla.