Ohutkalvon kasvatus

Tähän artikkeliin tai osioon ei ole merkitty lähteitä, joten tiedot kannattaa tarkistaa muista tietolähteistä. Voit auttaa Wikipediaa lisäämällä artikkeliin tarkistettavissa olevia lähteitä ja merkitsemällä ne ohjeen mukaan. Tarkennus: ei yhtäkään lähdettä

Ohutkalvon kasvatuksella tarkoitetaan kaikkia niitä tekniikoita, joilla siirretään ohut materiaalikerros kasvatusalustalle (alustasta käytetään usein termiä substraatti). Ohutkalvon "ohuus" on suhteellinen käsite. Joillakin kasvatustekniikoilla (esimerkiksi ALD ja MBE, Molecular Beam epitaxy) päästään atomikerroksittain kasvattamaan kalvon paksuutta, mutta useimmilla menetelmillä pienin säädettävissä oleva paksuus on joitakin kymmeniä nanometrejä. Kalvojen paksuudesta puhuttaessa käytetään usein mittana ångströmiä. Ohutkalvojen kasvatustekniikat ovat kehittyneet 50-luvulta alkaen elektroniikkateollisuuden kehittyessä. Näitä tekniikoita on alettu yhä laajemmin soveltamaan myös muiden tuotteiden valmistuksessa. Nanoteknologia käyttää paljolti samoja valmistusmenetelmiä.

Ohutkalvoja käytetään optiikassa esimerkiksi heijastuksen poistokalvoina, elektroniikassa eriste- tai johdekalvoina, hohdekalvoina elektroluminesenssi- ja OLED-näytöissä, puolijohteissa, pakkauskalvoissa (esimerkiksi alumiinikalvo PET-muovikalvolla). Ohutkalvoja voidaan käyttää myös korroosion estossa tai passivointikerroksina parantamaan materiaalin happojen kestävyyttä tai vähentämään elimistöjen hylkimisefektiä.

Ohutkalvojen kasvatustekniikat jakaantuvat karkeasti kahteen ryhmään riippuen siitä, onko kasvatusprosessi pääosin kemiallinen vai fysikaalinen.