La Double Data Rate 5 Synchronous Dynamic Random-Access Memory, ou DDR5 SDRAM, est un type de mémoire vive dynamique qui succède à la DDR4 SDRAM et dont les spécifications faites par le JEDEC[1] ont été finalisées en 2020[2],[3].
Elles sont prévues pour diminuer la consommation électrique par rapport aux DDR4, tout en doublant la bande passante[4],[5].
Une nouvelle fonctionnalité appelée Decision Feedback Equalization (DFE) permet l’évolutivité de la vitesse d’entrée/sortie (E/S) pour une bande passante plus élevée et une amélioration des performances. La DDR5 a à peu près la même latence (environ 14 ns) que la DDR4 et la DDR3[6]. La mémoire DDR5 multiplie par huit la capacité maximale des barrettes DIMM qui passe de 64 Go à 512 Go[7],[8]. La DDR5 a également des taux de transfert plus élevés que la DDR4, jusqu’à 8 GT/s, ce qui se traduit par une bande passante de 64 Go/s (8 GT/s × 64 bits de largeur / 8 bits/octet = 64 Go/s) par DIMM[9].
La société coréenne SK Hynix a produit les premières DDR5 16 Go fin 2018[10].
Samsung a annoncé la disponibilité des DDR5 pour la fin de l'année 2019[11] et présente le Samsung Galaxy S20 le 11 février 2020, premier smartphone possédant de la mémoire LPDDR5.