Richard Henry Friend

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Richard Friend

Titre de noblesse

Knight Bachelor

Biographie

Naissance	18 janvier 1953 (72 ans) Londres
Nationalité	britannique
Formation	Trinity College (doctorat) (jusqu'en 1979) Rugby School Université de Cambridge
Activités	Physicien, inventeur, professeur d'université, maître de conférence

Autres informations

A travaillé pour	Université de Cambridge Université nationale de Singapour Université d'York
Membre de	Royal Society (1993)
Directeurs de thèse	Denis Jérome, Abraham David Yoffe (d)
Distinctions	Liste détaillée Médaille Rumford (1998) Médaille Faraday (2003) Prix Descartes (2003) IET Kelvin Lecture (d) (2004) Prix IEEE Daniel E. Noble (2007) Prix Rhodia Pierre-Gilles de Gennes (2008) King Faisal International Prize in Science (2009) Katharine Burr Blodgett Medal and Prize (2009) Prix Harvey (2011) Docteur honoris causa de l'université de Hasselt (2013) Prix Von-Hippel (d) (2015) Docteur honoris causa de l'université de Linköping Clifford Paterson Lecture Fellow of the Royal Academy of Engineering

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Richard Henry Friend, né à Londres le 18 janvier 1953) est un physicien britannique, titulaire de la chaire Cavendish de l'université de Cambridge et professeur à l'université nationale de Singapour. Ses recherches concernent la fabrication et les propriétés physiques des semiconducteurs à substrat organique^[1]. Il s'est consacré au développement des transistors à effet de champ à substrat polymère, aux LEDs, aux diodes photovoltaïques, au pompage optique et à l'impression 3D de transistors à base de polymère. Il est à l'origine des premiers travaux sur les propriétés électroniques des semi-conducteurs moléculaires. Il est membre d'un groupe de recherche interdisciplinaire de Cambridge voué à la promotion des nanotechnologies.

Friend préside la commission scientifique de la Fondation Nationale de la Recherche (NRF) de Singapour^[2].