MOCVD

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L'epitassia di fase vapore metallo-organica (metalorganic vapour-phase epitaxy, MOVPE), nota anche come epitassia di fase-vapore di tipo organometallico (organometallic vapour-phase epitaxy, OMVPE) o deposizione di vapore chimico metallorganico (metalorganic chemical vapour deposition, MOCVD), è un metodo di deposizione di vapore chimico usato per produrre film sottili singoli o policristallini. È un processo estremamente complesso per la crescita di strati cristallini per creare complesse strutture multistrato a semiconduttore. Contrariamente all'epitassia da fasci molecolari (MBE), la crescita dei cristalli avviene per reazione chimica e non per deposizione fisica. Ciò non avviene nel vuoto, ma dalla fase gassosa a pressioni moderate (da 10 a 760 Torr). Come tale, questa tecnica è preferita per la formazione di dispositivi che incorporano leghe termodinamicamente metastabili, ed è diventato un processo importante nella produzione di optoelettronica. È stato inventato nel 1968 al North American Aviation Science Center (in seguito Rockwell International) da Harold M. Manasevit.