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In informatica ed elettronica una Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM, lett. "memoria ad accesso casuale magnetoresistiva") è una tipologia di memoria non volatile in sviluppo dagli anni novanta che sfrutta l'effetto magnetoresistivo. Il continuo incremento di densità delle memorie flash e delle DRAM hanno relegato le memorie MRAM in un mercato di nicchia, ma i suoi proponenti sono convinti che i vantaggi di questa tecnologia siano così significativi da garantire, in futuro, un'adozione diffusa delle MRAM in ogni campo applicativo.[1]
- ^ Johan Åkerman, "Toward a Universal Memory", Science, Vol. 308. no. 5721 (22 April 2005), pp. 508 - 510, DOI: 10.1126/science.1110549