Transistor a giunzione bipolare

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Transistor a giunzione bipolare
Principio di funzionamento	Semiconduttore
Inventato da	Dicembre 1947
Simbolo elettrico
Configurazione pin	Collettore, base ed emettitore
Vedi: componente elettronico
Manuale

In elettronica il transistor a giunzione bipolare (in inglese bipolar junction transistor, abbreviato BJT) è un tipo di transistor largamente usata nel campo dell'elettronica analogica principalmente come amplificatore di corrente e interruttore. Costituisce la famiglia più diffusa in elettronica insieme al transistor a effetto di campo rispetto a cui è in grado di offrire una maggiore corrente in uscita con lo svantaggio tuttavia di non avere il terminale di controllo isolato (gate).

Esso è composto da tre strati di materiale semiconduttore drogato, solitamente silicio, in cui lo strato centrale ha drogaggio opposto agli altri due, in modo da formare una doppia giunzione p-n. Ad ogni strato è associato un terminale: quello centrale prende il nome di «base», quelli esterni sono detti «collettore» ed «emettitore». Il principio di funzionamento si fonda sulla possibilità di controllare la conduttività elettrica del dispositivo, e quindi la corrente elettrica che lo attraversa, mediante l'applicazione di una tensione tra i suoi terminali. Tale dispositivo coinvolge sia gli elettroni, sia le lacune (portatori di carica maggioritari), e pertanto questo tipo di transistor è detto «bipolare».

Il transistor a giunzione bipolare può essere usato classicamente in tre configurazioni diverse dette a base comune, a collettore comune o a emettitore comune: questi termini si riferiscono al terminale privo di segnale (di solito perché collegato al potenziale di riferimento, direttamente o tramite un condensatore di bypass).