MOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ・英: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)は、電界効果トランジスタ (FET) の一種で、LSIの中では最も一般的に使用されている構造である。材質としては、シリコンを使用するものが一般である。「モス・エフイーティー」や「モスフェット」と呼ばれたり、「MOS-FET」と記述されることもあり、IGFET[注釈 1]やMISFET[注釈 2]がMOSFETとほぼ同義で用いられることがある。ユリウス・エドガー・リリエンフェルトが考案した。
集積回路で使われる微細MOSFETと、高電圧・高電流の用途で使われるパワーMOSFETがあり、素子構造も大きく異なる。基本的にはパワーMOSFETは個別半導体(ディスクリート半導体)であり、高い耐圧を実現するために縦方向の電荷の流れを用いているが、微細MOSFETでは基板表面に電荷の流れを作っている。 [1]
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