Back Dinamiese ewetoeganklike geheue Afrikaans ذاكرة وصول عشوائي حركية Arabic DRAM AST DRAM BE-X-OLD Динамична памет с произволен достъп Bulgarian DRAM Catalan DRAM Czech Dynamic Random Access Memory German Dynamic random-access memory English DRAM Spanish
Dynamic Random-Access Memory kortweg DRAM (in het Nederlands - dynamisch geheugen met willekeurige toegang) is een type RAM waarbij iedere informatiebit als een elektrische lading in een kleine condensator van een adresseerbare geheugencel wordt opgeslagen. De kleine opgeslagen lading lekt echter weg en moet daarom periodiek worden uitgelezen en teruggeschreven om de lading op peil te houden. Vanwege dit verversen wordt het dynamische RAM genoemd, in tegenstelling tot statische RAM SRAM waarvan de geheugencel uit een flipflop met zes transistors bestaat.
Een hoge dichtheid van dynamische geheugencellen kon maar worden bereikt door hun integratie op een halfgeleiderschijf met behulp van lithografische technieken. Een groot aantal geheugencellen worden daarbij in een matrix van rijen en kolommen geplaatst waarin ieder cel afzonderlijk adresseerbaar is. De volledige geheugenmatrix moet met de regelmaat van de klok ververst worden, dus met een leesversterker gelezen en weer teruggeschreven worden. Dit wordt door de hardware in de geheugenchip zelf gedaan. De hardware in de geheugenchip maakt het mogelijk om een hele rij van de matrix ineens efficiënt te verversen, waarbij de gegevens niet buiten de chip hoeven te komen.
DRAM's en SRAM's verliezen de gegevens als de voedingsspanning wegvalt en worden daarom ook vluchtige geheugens genoemd.