Geschiedenis van de transistor

De geschiedenis van de transistor begon op 16 december 1947. Op die dag assembleerde experimenteel natuurkundige Walter Brattain, die samenwerkte met theoreticus John Bardeen, de eerste bruikbare punttransistor. Zes maanden later, maar vóór de publicatie van het werk van Bardeen en Brattain, presenteerde Duitse natuurkundigen Herbert Matare en Heinrich Welker een in Frankrijk ontwikkelde punttransistor ("transistron"). Dus uit mislukte pogingen om eerst een solid-state analoge transistor van een vacuümtriode en vervolgens een veldeffecttransistor te maken, werd de eerste onvolmaakte bipolaire transistor geboren.

De punttransistor, die ongeveer tien jaar in massa werd geproduceerd, bleek een doodlopende tak van de ontwikkeling van elektronica te zijn - hij werd vervangen door germanium-overgangtransistors. De theorie van pn-overgang en overgangtransistor werd in 1948-1950 gecreëerd door William Shockley. De eerste overgangtransistor werd op 12 april 1950 gefabriceerd door smeltgroei. Het werd opgevolgd door een gefuseerde transistor, elektrochemische transistor en diffusie-mesa-transistor.

In 1954 bracht Texas Instruments de eerste siliciumtransistor uit. De ontdekking van het proces van "natte oxidatie" van silicium. Silicium verving germanium en het planaire proces werd de belangrijkste transistortechnologie en maakte het mogelijk om monolithische geïntegreerde schakelingen te creëren.