Back Silici sobre aïllant Catalan Silicon-on-Insulator German Silicon on insulator English Silicio sur izolilo Esperanto Silicio sobre aislante Spanish Silizioa isolatzailearen gainean Basque سیلیکون روی عایق Persian Silicon on insulator Finnish Silicium sur isolant French Silicio su isolante Italian
Silicon-on-insulator en vaak afgekort tot SOI is binnen de halfgeleiderfabricage de methode waarmee een siliciumschakeling gemaakt wordt in de toplaag van een drie-lagen plak (silicium-isolator-silicium). Het doel om voor de SOI-technologie te kiezen is onder andere om de parasitaire capaciteit binnen het device te verkleinen, ten opzichte van het device gemaakt in bulksilicium.
De SOI-schakelingen verschillen van de bulksiliciumschakelingen in het feit dat dan de siliciumjunctie zich boven een elektrische isolator bevindt, meestal: siliciumdioxide of saffier, en niet boven de siliciumbulk. De keuze van het type isolator, siliciumdioxide of saffier, hangt voornamelijk af van de beoogde toepassing. Saffier wordt gebruikt voor high-performance radiofrequente toepassingen en voor stralingsgevoelige toepassingen, terwijl siliciumdioxide voor vele andere micro-elektronicaschakelingen gebruikt wordt. Bij gebruik van saffier als isolator wordt de technologie silicon-on-sapphire (SOS) genoemd.