Z-RAM

Z-RAM (Zero-condensator RAM) este tip de memorie DRAM dezvoltat de compania Innovative Silicon. Z-RAM se bazează pe principiul Floating body effect și tehnologia SOI (Silicon-on-Insulator), folosește un singur tranzistor pe celulă ceea ce permite o densitate de stocare două ori mai mare decât densitatea DRAM și de 5 ori densitatea SRAM.

Dimensiunea semnificativ mai mică a celulelor Z-RAM permite existența unor blocuri de memorie mult mai mici și astfel se reduce calea fizică pe care trebuie să o parcurgă datele pentru a părăsi un bloc de memorie. Pentru memoria cache mare, Z-RAM oferă o viteză echivalentă cu SRAM.

În martie 2010, Innovative Silicon a dezvoltat Z-RAM pe bază CMOS care este mai ieftină în comparație cu tehnologia SOI.^[1][2][3]

Z-RAM poate fi utilizată cu sistemele SoC (System-on-a-Chip) din dispozive portabile precum smartphone, PDA etc și ca memorie cache în procesoare. AMD a intenționat inițierea unor cercetări pentru introducerea Z-RAM pe viitoarele procesare ^[4], iar Helix pe cipurile DRAM ^[5].

Innovative Silicon a fost preluată de Micron Technology în decembrie 2010.^[6]

• 
  Celulă Z-RAM
• 
  Secțiune într-o celulă Z-RAM