Gali(III) arsenide

Gali(III) arsenide
Các mẫu arsenide gali
Nhận dạng
Số CAS	1303-00-0
PubChem	14770
Số EINECS	215-114-8
MeSH	gallium+arsenide
Số RTECS	LW8800000
Ảnh Jmol-3D	ảnh
SMILES	đầy đủ [Ga-].[As+]
Thuộc tính
Công thức phân tử	GaAs
Khối lượng mol	144.645 g/mol
Bề ngoài	Very dark red, vitreous crystals
Mùi	garlic-like when moistened
Khối lượng riêng	5.3176 g/cm³
Điểm nóng chảy	1.238 °C (1.511 K; 2.260 °F)
Điểm sôi
Độ hòa tan trong nước	Không hòa tan
Độ hòa tan	hòa tan trong HCL không hòa tan ethanol, methanol, acetone
BandGap	1.424 eV (at 300 K)
ElectronMobility	8500 cm²/(V·s) (at 300 K)
Độ dẫn nhiệt	0.55 W/(cm·K) (at 300 K)
Chiết suất (nD)	3.8[1]
Cấu trúc
Cấu trúc tinh thể	Zinc blende
Nhóm không gian	T2d-F-43m
Hằng số mạng	a = 565.35 pm
Tọa độ	Tetrahedral
Hình dạng phân tử	Linear
Các nguy hiểm
MSDS	External MSDS
Phân loại của EU	T N
NFPA 704	1 3 2 W
Chỉ dẫn R	R23/25, R50/53
Chỉ dẫn S	(S1/2), S20/21, S28, S45, S60, S61
Ký hiệu GHS
Báo hiệu GHS	DANGER
Chỉ dẫn nguy hiểm GHS	H301, H331, H410
Chỉ dẫn phòng ngừa GHS	P261, P273, P301+P310, P311, P501
Trừ khi có ghi chú khác, dữ liệu được cung cấp cho các vật liệu trong trạng thái tiêu chuẩn của chúng (ở 25 °C [77 °F], 100 kPa). N kiểm chứng (cái gì YN ?) Tham khảo hộp thông tin

Gali(III) arsenide hay gali arsenua (GaAs) là hợp chất của gali và asen. Nó là chất bán dẫn với khe III-V (bandgap) trực tiếp với một cấu trúc tinh thể ánh nước kẽm. Arsenua galli được sử dụng trong sản xuất các linh kiện mạch tích hợp tần số vi sóng, mạch tích hợp đơn khối, điốt phát sáng hồng ngoại, điốt laser, các pin năng lượng mặt trời và các cửa sổ quang.

1. ^ Refractive index of GaAs. Ioffe database